Samsung планирует прорыв: 1-нанометровый техпроцесс к 2031 году для новых процессоров

Узнайте о планах Samsung по внедрению 1-нм технологического процесса к 2031 году, использовании метода «вилки» для увеличения плотности транзисторов и улучшении энергоэффективности процессоров Exynos.

Планы Samsung по внедрению 1-нанометрового технологического процесса к 2031 году обещают стать значительным прорывом в полупроводниковой отрасли, который часто называют «полупроводником мечты». Для достижения этой цели компания проводит научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы, нацеленные на завершение к 2030 году, с использованием метода «вилки» для увеличения плотности транзисторов. Об этом сообщает издание pepelac.news.

В основе нового подхода лежит технология Gate-All-Around (GAA), уже применяемая в 2-нм процессах для повышения энергоэффективности за счёт расширения трактов. Однако для 1-нм узла требуется модификация, и схема разветвления с «вилкой» добавляет непроводящую перегородку, что позволяет компактнее размещать элементы, аналогично уплотнению архитектурных структур.

Изначально Samsung рассматривала выпуск 1,4-нм техпроцесса, но его реализация была отложена до 2028 года, возможно, чтобы сфокусироваться на развитии 2-нм технологий. Технология «вилка» может помочь преодолеть предыдущие производственные сложности, хотя окончательные показатели эффективности и масштабируемости 1-нм процесса станут ясны лишь с началом массового производства.

Параллельно Samsung работает над улучшением энергоэффективности своих систем на кристалле, таких как Exynos 2600, который в тестах Geekbench 6 потребляет до 30 Вт, что снижает автономность устройств по сравнению с аналогами на Snapdragon. Переход к усовершенствованным 2-нм процессам и последующий запуск 1-нм технологии направлены на устранение этих недостатков и подготовку платформы для будущих мобильных процессоров.